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J-GLOBAL ID:202104004445260487  Research Project code:10102263

半導体表面からのテラヘルツ波放射の高効率化

半導体表面からのテラヘルツ波放射の高効率化
Study period:2010 - 2010
Organization (1):
Research responsibility: ( , 遠赤外領域開発研究センター, 教授 )
Research overview:
本研究の目的はInSbの顕著な磁場効果、表面結合レンズ、および非対称励起を同時に用いて、1.55μm帯のフェムト秒ファイバーレーザー励起による高効率のTHz波放射を実現することである。磁場やその他の手法を用いない場合と比較して、THz波放射を振幅で約100倍、パワーで10,000倍増強させることを目指す。また出力の絶対値としては、レーザー平均パワー100mWで励起時にTHz波パワー1μW以上(800nm帯フェムト秒レーザーによる光伝導アンテナ出力と同等以上)を目指す。この手法は特殊な半導体基板および微細な素子作成技術を必要とせず、市販のネオジウム系磁石、簡単な表面結合レンズ(Si半球レンズ等)を使用するため、他の手法と比べて安価かつ簡便である。
Terms in the title (3):
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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