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J-GLOBAL ID：202104004478067836
Research Project code：14545217
PSD法によるフレキシブル窒化物半導体デバイスの開発
PSD法によるフレキシブル窒化物半導体デバイスの開発
National award number：JPMJAC1405
Study period：2014 - 2019
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 生産技術研究所, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJAC1405
Research overview：
CRESTでは、PSDとよばれるスパッタ法を基礎とする独自の薄膜成長技術を開発し、高品質窒化物半導体(GaNなど13族元素と窒素の化合物)の低温形成を実現するとともに、この手法を用いて、従来技術では実現できなかった良好な結晶性を持つInGaN多層膜構造を形成し、赤、青、緑の三原色LEDの試作に成功しました。 ACCELではこれまでの成果をベースに、安価なスパッタ法で良質な薄膜の低温形成が可能という本技術の特徴を生かして、低コスト/フレキシブル基板上へ高品質GaN系結晶を実現し、GaN系LEDと駆動用トランジスターによるディスプレー動作実証を行い電子・光集積化デバイスを目指します。
Terms in the title (3)：
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Research program：
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Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
