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J-GLOBAL ID:202104004766962955  Research Project code:13408789

高品質SiC単結晶薄膜の革新的低温・高速成長技術の創製

高品質SiC単結晶薄膜の革新的低温・高速成長技術の創製
National award number:JPMJAL1310
Study period:2013 - 2018
Organization (1):
Principal investigator: ( , 工学研究科, 教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJAL1310
Research overview:
本研究では、フラックスと呼ばれる結晶成長の触媒と、気相原料供給を用いた常圧液相エピタキシー法を開発し、多形を制御した4H-SiC単結晶薄膜を低温で高速成長できる技術を確立します。よって、SiC単結晶薄膜が既存のSiを代替することにより、低損失の電力変換機器の提供とスマートグリッドによるエネルギー高効率利用の実現を加速化します。
Terms in the title (6):
Terms in the title
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Research program:
Parent Research Project: 革新的省・創エネルギー化学プロセス
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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