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J-GLOBAL ID：202104004820021495
Research Project code：15654273
高In組成InGaNの高品質エピタキシャル成長と次世代ディスプレイ・照明及び通信用光源と高効率太陽電池
高In組成InGaNの高品質エピタキシャル成長と次世代ディスプレイ・照明及び通信用光源と高効率太陽電池
Study period：2015 - 2018
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 工学研究科, 教授 )
Research overview：
本研究は、ポーランド科学研究所ユニプレスのマイク・セルチンスキー教授をプロジェクトリーダーとして、その研究グループ、チェコプラハのチャールス大学のホリー・ヴァクラフ教授およびその研究グループ、および名古屋大学の天野浩およびその研究グループで取り組む。 セルチンスキー教授の所属するポーランド科学研究所ユニプレスは、1980年と世界で最も早くからGaN基板の成長に取り組んでおり、貫通転位密度の低いGaN基板の成長に成功している。また、In組成を制御するには、GaN基板面の微妙なオフセットの制御が必要であることをポーランド高圧物理研究所のグループは見出しているが、そのオフセットの制御でも世界トップの技術を有している。 名古屋大学の天野のグループは、世界で初めてpn接合型青色LEDに成功し、その後も高In組成InGaNの高品質化では加圧MOVPE装置の開発や多色レーザを用いた結晶成長の原子レベルでのその場観察など、世界で唯一の独自の方法で、世界を先導する成果を上げている。 一方、高In組成InGaNではInの偏析や組成揺らぎなど、デバイスの性能を左右する現象が生じていることが予想されており、スケールも含めたその正確な評価が課題であった。プラハのチャールス大学のヴァクラフ教授のグループは、X線を用いた手法で、In組成の空間的揺らぎを精密に評価する手法を確立している。 本プロジェクトでは、オフセットの制御されたGaN基板の成長、および特殊な面内加工をポーランド科学研究所ユニプレスにて行う。その後高In組成InGaNの薄膜及び3次元構造成長を名古屋大学にて行う。そのIn組成の空間的分布評価を主にプラハ チャールス大学にて行う。最終的には、可視長波長LEDの試作および太陽電池の試作を名古屋大学にて行い、今回のプロジェクトの成果を確認する。 その結果に基づき、次の段階として、社会実装の可能性を検討する。
Terms in the title (9)：
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Research program：
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Parent Research Project：
先端材料
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
