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J-GLOBAL ID:202104004843597912
Research Project code:07100225
SOI 技術による時間・空間X 線イメージセンサー
SOI 技術による時間・空間X 線イメージセンサー
National award number:JPMJSN07B2
Study period:2007 - 2010
Organization (1):
Research responsibility:
(
, 素粒子原子核研究所, 教授 )
DOI:
https://doi.org/10.52926/JPMJSN07B2
Research overview:
従来、放射線検出用SiとLSI用Siとは特性が異なることから、一体化させることが難しかったが、貼合せSOI(Silicon-On-Insulator)の登場により一体化が可能になりました。本課題では、SOI下部Siにp-n接合センサーを形成し、上部 CMOS回路と接続することにより、高分解能の2次元X線イメージセンサー(~50um角/pixel、256x256画素程度)を開発します。一体化により高感度、高速処理、低価格化が期待できると共に、各ピクセルに計数回路を持たせる事により、反応の計数/時間測定 /エネルギー測定を同時に行なえると共に、計数回路をメモリーとして使用する事で超高レートの測定にも使用出来ます。
Terms in the title (2):
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Research program:
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Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
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