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J-GLOBAL ID：202104005450901055
Research Project code：10104161
希少元素を含まない新規超伝導体の電場誘起キャリアドーピング法による開発
希少元素を含まない新規超伝導体の電場誘起キャリアドーピング法による開発
National award number：JPMJPR1093
Study period：2010 - 2013
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 原子分子材料科学高等研究機構, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1093
Research overview：
液体窒素の沸点、77K を越える温度で超伝導を示す高温超伝導体は物性物理学者の夢であり、産業応用の上でも重要です。最大 160 K で超伝導を示す銅酸化物高温超伝導体は絶縁体に不純物元素を混ぜて超伝導体を作り出す「化学ドーピング」によって開発されました。本研究ではシリコンのトランジスタ技術を応用した新しい材料開発手法、「電場誘起ドーピング」によって材料探索の幅を広げ、新しい超伝導材料を実現します。
Terms in the title (6)：
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Research program：
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Parent Research Project：
新物質科学と元素戦略
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
