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J-GLOBAL ID：202104005671345718
Research Project code：07051278
スピントロニクスデバイス用室温ハーフメタルの探索
スピントロニクスデバイス用室温ハーフメタルの探索
National award number：JPMJPR0764
Study period：2007 - 2011
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 磁性材料センター, 主任研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0764
Research overview：
微細化の限界を目前にした半導体デバイスに将来替わると期待されているスピントロニクスデバイス実現のためには、室温で電子のスピン偏極率が100%の強磁性ハーフメタルが必要とされています。本研究では、点接触アンドレーエフ反射法によるスピン偏極率の直接測定により室温ハーフメタルを探索し、それにより磁気抵抗素子や半導体・磁性デバイスの実現に貢献することを目指します。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
