Proj
J-GLOBAL ID：202104005827855797
Research Project code：07100045
強磁性金属/半導体界面制御によるスピントランジスタの創製
強磁性金属/半導体界面制御によるスピントランジスタの創製
National award number：JPMJPR06M4
Study period：2006 - 2009
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, エレクトロニクス研究部門, 研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR06M4
Research overview：
固体中の電子の電荷とスピンの相互作用を利用するスピントロニクス技術が世界的に注目されています。現在、この新技術を利用した「スピントランジスタ」と呼ばれる不揮発性トランジスタの実現を目指した研究が世界規模で行われています。しかしながら、明確に不揮発機能を実証した例は皆無です。本研究は研究者が有する界面制御技術を生かした独自のスピントランジスタを作製し、世界初の不揮発機能を実証することを目的とします。
Terms in the title (4)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
,
,
,
Research program：
＞
＞
Parent Research Project：
界面の構造と制御
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
