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J-GLOBAL ID：202104005919325441
Research Project code：15655513
二次元窒化物半導体を用いたエピタキシャル積層構造の創出と光電子機能デバイス応用
二次元窒化物半導体を用いたエピタキシャル積層構造の創出と光電子機能デバイス応用
National award number：JPMJPR1522
Study period：2015 - 2017
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 生産技術研究所, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR1522
Research overview：
ワイドギャップ二次元半導体である六方晶窒化ボロン(hBN)薄膜を用いたエピタキシャル積層構造を作製し、hBNの光学的・電気的・構造的性質を利用した新構造のナノエレクトロニクス材料を創出します。この目的を実現するためにhBN薄膜を低温で結晶成長する技術の開発を行うとともに、ウェハースケールで異種機能性材料と積層融合し、高効率発光素子や低損失デバイスといった次世代低消費電力デバイスへと展開します。
Terms in the title (7)：
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Research program：
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Parent Research Project：
素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
