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J-GLOBAL ID：202104006761333472
Research Project code：20353078
超高濃度ドーピング技術で拓くダイヤモンドパワーエレクトロニクス
超高濃度ドーピング技術で拓くダイヤモンドパワーエレクトロニクス
National award number：JPMJFR203U
Study period：2021 - 2027
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, ナノマテリアル研究所, 准教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJFR203U
Research overview：
究極のパワーデバイス材料と期待されるダイヤモンドを用いたパワーエレクトロニクスを学問だけではなく、産業としても創成し、革新的な省エネルギー技術を世界に発信することで、温室効果ガス排出量の大幅削減、持続的発展可能なエネルギーの超高効率社会を実現することを目的としています。最重要課題である低抵抗なn型ダイヤモンド半導体を実現し、誰しも効率的かつ安全に電力を使用できる破壊的イノベーションを起こします。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
北川パネル
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
