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J-GLOBAL ID:202104006937890985  Research Project code:7700010106

真空紫外光を用いた撮像素子の高性能化技術の開発

真空紫外光を用いた撮像素子の高性能化技術の開発
Study period:2005 - 2005
Organization (1):
Principal investigator: ( , 工学部 )
Research overview:
家電製品から最先端科学技術分野に用いられる特殊なものまで様々な撮像素子の高性能化が期待されている。中でもCMOS型撮像素子は、従来のCCD型のものよりもダイナミックレンジが広く、これからの撮像素子として高性能化を目指した技術開発が精力的に進められている。CMOS型撮像素子表面には、開口率を上げるためマイクロレンズを取り付ける必要があるが、現在は樹脂を塗布し、加熱してドーム型に膨らませて作製しており、素子への熱ダメージが問題となっている。代表研究者らは、室温で条件により様々な形状の石英構造物を作製できる真空紫外CVD法を用いて、撮像素子に熱ダメージを与えることなくマイクロレンズを形成できる 個々の画素の上に作製された技術を確立する。
Terms in the title (3):
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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