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J-GLOBAL ID:202104007251909430  Research Project code:7700007399

巨大誘電分極材料によるメモリ素子超高集積化の検討

巨大誘電分極材料によるメモリ素子超高集積化の検討
Study period:2005 - 2005
Organization (1):
Principal investigator: ( , 基礎工学研究科 )
Research overview:
これまで用いられてきているPZT膜の標準分極量の約5倍とういう巨大な残留分極を有するBiFeO3をPLD法やCVD法により作成し、その強誘電性を評価するとともに、巨大分極発現のメカニズムを探る。さらにこの薄膜の強誘電体不揮発メモリFeRAMセンサ・マクチュエータ等のデバイス応用への可能性を探る。
Terms in the title (3):
Terms in the title
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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