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J-GLOBAL ID:202104007306298533  Research Project code:08068805

水中レーザー照射法を用いた半導体デバイスプロセス技術開発

水中レーザー照射法を用いた半導体デバイスプロセス技術開発
Study period:2008 - 2008
Organization (1):
Principal investigator: ( , 電気工学科, 准教授 )
Research overview:
我々は、水中でレーザー照射を行う方法を用いて、薄膜の表面平坦性を維持しつつ熱処理が可能な水中レーザーアニール技術、高生産で低損傷なレーザー微細加工技術の開発を行っている。本研究では、これらの技術を半導体プロセス技術に適用する為、量産対応の高繰り返しレーザーを用いて企業等より提供を受けた試料のデモンストレーション処理を行ない、量産対応技術として実証すると伴に成果の発表を行い、これらの技術の有用性を確認する事を目的とする。
Terms in the title (5):
Terms in the title
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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