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J-GLOBAL ID：202104007329551554
Research Project code：7700000845
界面ナノ構造制御によるワイドギャップ半導体の機能融合とパワーデバイスへの展開
界面ナノ構造制御によるワイドギャップ半導体の機能融合とパワーデバイスへの展開
National award number：JPMJPR0296
Study period：2002 - 2005
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学研究科, 助手 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0296
Research overview：
ワイドギャップ半導体は、エネルギー技術、情報技術のキーデバイスである、電力用・通信用パワーデバイスに最適な材料と期待されています。本研究は、化学結合が異なる2種類のワイドギャップ半導体、III族窒化物(III-N)とシリコンカーバイド(SiC)を、1原子層面内(サブ原子層)で原子配列をコントロールする「界面ナノ構造制御」により機能融合し、単独材料では実現困難な高性能パワーデバイス創製へと展開します。
Terms in the title (6)：
Terms in the title
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Research program：
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Parent Research Project：
ナノと物性
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
