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J-GLOBAL ID:202104007680681081  Research Project code:09158131

アセチルアセトン錯体の配位子の脱離反応機構を制御した高品質MO-CVD 原料の開発

アセチルアセトン錯体の配位子の脱離反応機構を制御した高品質MO-CVD 原料の開発
Study period:2009 - 2009
Organization (1):
Principal investigator: ( , 電子工学科, 助教 )
Research overview:
本研究課題は、金属アセチルアセトン(acac)錯体が有する配位子の脱離反応機構を制御し、半導体薄膜形成法の中で最も量産性の高い有機金属気相成長(MO-CVD)法で使用する高品質なファイバー状の錯体原料を開発することをにあり、①ZnO薄膜原料であるZn(acac)2を中心に、n型不純物およびp型不純物原料を含めた配位子の脱離反応機構を制御すること、②ZnO薄膜の作製に最適な、高純度、安定結晶構造を有するMO-CVD原料の製法を実現することを目標とする。
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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