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J-GLOBAL ID：202104008120576157
Research Project code：07051281
縦型立体構造デバイス実現に向けた半導体ナノワイヤの開発
縦型立体構造デバイス実現に向けた半導体ナノワイヤの開発
National award number：JPMJPR0767
Study period：2007 - 2010
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 半導体材料センター, 主任研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0767
Research overview：
現行のMOSFETの性能限界を解決するためには、新たなチャネル構造を有する新構造トランジスタの開発が必要です。本研究では、次世代型の超低消費電力MOSFETとして注目されている縦型立体構造を有するサラウンディングゲートトランジスタの実現に向けて、その伝導チャネルとなる1次元構造の半導体ナノワイヤに着目した新規デバイスの開発を目指します。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
