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J-GLOBAL ID:202104008242830496  Research Project code:7700100585

低温エピ成長による原子レベルで平坦で高品質な極薄金属窒素化膜の開発

低温エピ成長による原子レベルで平坦で高品質な極薄金属窒素化膜の開発
Study period:2005 - 2005
Organization (1):
Principal investigator: ( , 工学部 )
Research overview:
次世代の超高密度Si-LSI実現に必要な極微細拡散バリアの開発を目的とし、Si上に高融点金属窒化物(ZrN、TiN、及びTaN)の極薄膜を形成し得る「低温エピタキシャル成長プロセス技術」を創出する。
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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