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J-GLOBAL ID：202104008843810239
Research Project code：08062574
縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発
縦型ボディーチャネルMOSFETとその集積プロセスの開発
National award number：JPMJCR0841
Study period：2008 - 2013
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 学際科学国際高等研究センター, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0841
Research overview：
本研究では、デバイスのボディー領域全体を電流駆動領域とする新概念の縦型構造トランジスタのデバイス技術に加えて、その回路設計・材料・プロセス技術までを一貫して開発します。これにより、平面型MOSFETと比較して、駆動電流特性、リーク電流特性、集積密度を大幅に向上させた半導体LSIの新しいユニバーサル技術プラットフォームを提供することを目指します。
Terms in the title (6)：
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Research program：
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Parent Research Project：
次世代エレクトロニクスデバイスの創出に資する革新材料・プロセス研究
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
