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J-GLOBAL ID：202104009001477562
Research Project code：7700002467
スピン量子ドットメモリ創製のための要素技術開発
スピン量子ドットメモリ創製のための要素技術開発
National award number：JPMJCR0181
Study period：2001 - 2006
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院工学研究科, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0181
Research overview：
本研究は、新しい概念に基づく超大容量のスピンメモリの創製を目指しています。基本コンセプトは室温でクーロンブロッケードが発現する磁性量子ドットを開発し、そのトンネル磁気抵抗を電圧で制御することです。ナノ構造、大きな信号電圧を可能とする材料および2次元ドットアレー作製技術の開発を行います。本研究の成果として、テラビット級の不揮発性メモリの創製およびスピントロニクスの新しい展開が期待されます。
Terms in the title (5)：
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Research program：
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Parent Research Project：
新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
