半導体のナノ評価に向けた走査型過渡容量顕微鏡の開発

Study period：2008 - 2008
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 大学院工学研究科, 准教授 )
Research overview：

半導体デバイスの特性を決める重要な要因のひとつに界面トラップがあり、その低減化及びナノメータスケールでの均一化が求められているが、有効な評価技術が開発されていないのが現状である。本課題ではミクロンスケール以上で広く用いられている過渡容量評価法とナノメータスケールでの評価が可能な走査型プローブ顕微鏡技術を融合し、ナノメータスケールでの界面トラップ評価が可能な走査型過渡容量顕微鏡の開発を目標とする。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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