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J-GLOBAL ID：202104009484188400  Research Project code：08069611

スパッタ法によるシリコン上酸化物バッファ層を用いた強磁性薄膜積層化の検討

スパッタ法によるシリコン上酸化物バッファ層を用いた強磁性薄膜積層化の検討
Study period：2008 - 2008
Organization (1)：
神奈川県産業技術センター

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Principal investigator：
秋山 賢輔

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(
神奈川県産業技術センター

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, 電子技術部, 研究員 )
Research overview：
シリコン(Si)基板上に高結晶品質なマグネシア(MgO)等の酸化物エピタキシャルバッファ層を量産可能な薄膜作製プロセスであるスパッタ法にて作製し、スピントロニクス用の強磁性薄膜(Fe3Si)をモノリシックに成長させて積層化技術を検討する。絶縁性をもった厚さ50nm程度のMgO薄膜等のバッファ層としての有用性を検証し、Si基板上あるいはワイドギャップ半導体である炭化珪素(SiC)基盤へのFeやFe3Si等のスピントロニクス材料の積層化の基盤技術を確立する。
Terms in the title (5)：
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Research program：
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Organization with control over the research：
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