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J-GLOBAL ID:202104009787348760  Research Project code:09157392

SiC-JFETの実用化に向けた高性能パッケージの開発

SiC-JFETの実用化に向けた高性能パッケージの開発
Study period:2009 - 2009
Organization (1):
Principal investigator: ( , 加速器研究施設, 准教授 )
Research overview:
SiCデバイスはワイドギャップ半導体であるために、低損失かつ高温動作が可能でありSiデバイスに置き換わる次世代デバイスとして期待されている。しかし、現状では素子開発の進む一方でその性能に見合うパッケージの開発が遅れているために一部のダイオードを除いては実用化されているとは言い難い。本研究では高温動作に耐え、熱伝導性に優れたパッケージを開発することにより、本デバイスの実用化を加速するものである。
Terms in the title (5):
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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