SiC-JFETの実用化に向けた高性能パッケージの開発

Study period：2009 - 2009
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 加速器研究施設, 准教授 )
Research overview：

SiCデバイスはワイドギャップ半導体であるために、低損失かつ高温動作が可能でありSiデバイスに置き換わる次世代デバイスとして期待されている。しかし、現状では素子開発の進む一方でその性能に見合うパッケージの開発が遅れているために一部のダイオードを除いては実用化されているとは言い難い。本研究では高温動作に耐え、熱伝導性に優れたパッケージを開発することにより、本デバイスの実用化を加速するものである。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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