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J-GLOBAL ID：202104009902843762
Research Project code：07100041
金属ナノギャップ電極による抵抗スイッチ効果の発生メカニズムの解明
金属ナノギャップ電極による抵抗スイッチ効果の発生メカニズムの解明
National award number：JPMJPR06N3
Study period：2006 - 2009
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, ナノテクノロジー研究部門, 研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR06N3
Research overview：
金属のナノギャップ構造を用いた可逆性のある抵抗スイッチ現象は、素子に印加する電圧の大きさに伴って抵抗変化を生じる、ナノギャップ幅が10nm付近以下の電極でのみ発現するナノスケール特有の現象です。また、不揮発性を有し、不揮発メモリー・ストレージ装置への応用が期待できます。本研究では、このスイッチ現象の発生メカニズムの解明を目的としています。
Terms in the title (3)：
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Research program：
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Parent Research Project：
ナノ製造技術の探索と展開
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
