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J-GLOBAL ID:202104010052163331  Research Project code:08003166

水蒸気プラズマ処理によるGaN発光ダイオードの高効率化技術の開発

水蒸気プラズマ処理によるGaN発光ダイオードの高効率化技術の開発
Study period:2007 - 2007
Organization (1):
Principal investigator: ( , 大学院自然科学研究科, 教授 )
Research overview:
本研究は,最近申請者らが開発して成果を上げた水蒸気リモートプラズマ処理(H2O RPT)技術を活用して,GaN系半導体発光ダイオード(LED)の発光効率増大を図る技術を開発することを目的とする。これまでの研究で明らかになった発光増強を阻害する具体的要因として,1 LEDの積層構造とMg濃度や膜厚などの特性,2 オーミック電極の特性,の2項目を設定し,これらの特性の最適化を図ることにより発光効率の増大を目指す。
Terms in the title (5):
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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