30GHz動作集積回路用シリコン超高速MOS回路技術の開発

Study period：2005 - 2005
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 電気通信研究所 )
Research overview：

本研究では、代表研究者が発案したDynamic Feedback-MCML(DF-MCML)回路技術を用いて30GHz動作集積回路用のシリコン超高速MOS回路技術を回路シミュレーターによって開発する。このDF-MCML回路は、従来のCMOS回路やMCML回路と比較して、飛躍的に動作温度変動やデバイス特性ばらつきに対する耐性に優れ、且つ微小信号に対する感度性に優れている。30GHz帯域高速動作電子部品をシリコンMOS(Si-MOS)集積回路にて安価且つ安定に供給できるようにする本研究の成果は、当該分野の市場を飛躍的に発展させることが期待される。また、本研究は、新規回路技術であるDF-MCML回路に立脚しているため、多くの知的財産の獲得が期待される。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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