Proj
J-GLOBAL ID:202104010368957372  Research Project code:09156501

ナノ構造・酸化物半導体を用いた高感度フォース・センサーの開発

ナノ構造・酸化物半導体を用いた高感度フォース・センサーの開発
Study period:2009 - 2009
Organization (1):
Principal investigator: ( , 工学研究科, 教授 )
Research overview:
半導体材料に歪みを加えて発生する導電率変化(ピエゾ抵抗効果)は、半導体をロッド形状に加工し、長手方向に力を印加することで、格段に増大することが期待される。本課題では、半導体として酸化亜鉛(ZnO)を用い、そのナノ・ロッド群を上下電極で挟み込んだ構造のフォース・センサー開発を構想しており、センサーに高感度性を与え、基体形状に依らずセンサーの大面積化を可能にする要素技術の確立を行う。
Terms in the title (4):
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

Return to Previous Page