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J-GLOBAL ID：202104010716177505
Research Project code：7700000850
超Gbit-MRAMのための単結晶TMR素子の開発
超Gbit-MRAMのための単結晶TMR素子の開発
National award number：JPMJPR029B
Study period：2002 - 2005
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, エレクトロニクス研究部門, 主任研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR029B
Research overview：
トンネル磁気抵抗効果(TMR効果)を利用したMRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)は、不揮発・高速・高集積などの特徴を兼ね備えた究極のメモリになると期待されています。本研究では、強磁性金属およびハーフメタルの単結晶電極を用いて高出力TMR素子を開発し、次々世代の超Gbit級MRAMのための基礎技術の確立を目指します。
Terms in the title (3)：
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Research program：
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Parent Research Project：
ナノと物性
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
