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J-GLOBAL ID：202104010951783595
Research Project code：09152485
Si/III-V族半導体超ヘテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発
Si/III-V族半導体超ヘテロ界面の機能化と低電力スイッチ素子の開発
National award number：JPMJPR0964
Study period：2009 - 2012
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院情報科学研究科, 博士研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0964
Research overview：
従来のMOSFETの原理で超えることができない理論限界の壁を、新しい動作原理のスイッチ素子で乗り越えます。具体的には、シリコンとIII-V族化合物半導体をナノスケールの結晶成長技術で接合し、欠陥のない理想的な接合界面(超ヘテロ界面)を作製します。そして、その界面で生じるバンド不連続性を利用し、低電力で駆動するスイッチ素子の開発を行います。
Terms in the title (6)：
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Research program：
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Parent Research Project：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
