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J-GLOBAL ID：202104011062205314
Research Project code：07051062
温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究
温度安定性に優れた光通信用InN半導体レーザの研究
National award number：JPMJCR06J4
Study period：2006 - 2011
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 金属材料研究所, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR06J4
Research overview：
高度情報化社会の発展のため、通信システムの低価格化と大容量化が望まれています。このような状況の中で、温度安定性に優れた光源が期待されています。我々は、青色発光ダイオード用材料である窒化物半導体の内のInNが赤外域で発光し、その効率と波長の温度安定性が優れていることを、見いだしました。本研究では、InNを発光材料とする通信用レーザを実現します。このレーザは、砒素や燐を含まない低環境負荷素子という特徴も有します。
Terms in the title (5)：
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Research program：
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Parent Research Project：
新機能創成に向けた光・光量子科学技術
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
