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J-GLOBAL ID:202104011282412515
Research Project code:11102104
炭化ケイ素半導体MOS構造の界面準位密度低減化プロセスの開発
炭化ケイ素半導体MOS構造の界面準位密度低減化プロセスの開発
Study period:2011 - 2011
Organization (1):
Research responsibility:
(
, 大学院理工学研究科, 准教授 )
Research overview:
本研究では、Si-MOSと比べ約2?3桁も高い界面準位密度を有する炭化ケイ素(SiC)半導体MOS構造の、界面準位密度を大幅に低減化するMOS作製プロセスの開発を行う。まず、界面準位発生の大幅な抑制が期待される極薄SiO2膜を低温成長し、この上にSiCが酸化しない程度の低温プロセスによってSiO2膜を堆積し、界面準位の低密度化を目指す。界面準位密度および酸化膜絶縁性という観点からMOS作製プロセスを評価し、プロセスの最適化を試みる。最終的には、最適化したMOS作製プロセスを実際のMOSFET作製プロセスに導入し、優れた低損失性能を有するSiC-MOSFETの実現を目指す。
Terms in the title (6):
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Research program:
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Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
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