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J-GLOBAL ID:202104011481976770  Research Project code:13412598

窒化物半導体の素子応用に向けた高In組成InAlNエピタキシャル成長に関する実用化

窒化物半導体の素子応用に向けた高In組成InAlNエピタキシャル成長に関する実用化
Study period:2013 - 2013
Organization (1):
Research responsibility: ( , 金属材料研究所, 教授 )
Research overview:
高In組成側のInAlN薄膜の有機金属気相成長(MOVPE)を目的とし、そのホスト材料であるInN薄膜の結晶成長条件について減圧・加圧型MOVPE装置を用いて探索した。成長用基板の窒化処理、GaNバッファ層の導入、および、InN薄膜層の成長温度等の成長条件を最適化し、加圧環境下においてサファイア基板上に結晶配向性の良いInN薄膜を成長することができた。また、準安定相である立方晶InNの混在形態や出現条件についても明らかにした。
Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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