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J-GLOBAL ID：202104011551179636
Research Project code：7700000835
ナノスケール機能調和人工格子による強相関電子デバイスの創製
ナノスケール機能調和人工格子による強相関電子デバイスの創製
National award number：JPMJPR0196
Study period：2001 - 2004
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 産業科学研究所, 助手 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0196
Research overview：
遷移金属酸化物は、非常に強い電子相関のため強磁性、超巨大磁気抵抗、超伝導、等の多彩な物性(強相関電子物性)発現します。この物質と光・電場に応答する酸化物半導体材料をナノスケールで組み合わせた機能調和人工格子により、強相関電子の振る舞いを明らかにすると共に、界面を通じて電子の動きを制御して強相関電子物性を室温で光・電場を用いスイッチできる新機能材料・デバイスを創出します。
Terms in the title (6)：
Terms in the title
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Research program：
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Parent Research Project：
ナノと物性
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
