環境半導体β-FeSi2の高品質エピタキシャル膜成長への挑戦

Study period：2007 - 2007
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 工学部電子工学科, 助教授 )
Research overview：

化学洗浄したシリコン基板を短時間でも空気中に暴露すると有機カーボン汚染が付着するが、この汚染をアルゴン雰囲気中で極端紫外光Arエキシマランプ光(波長126nm)を照射すると簡単に除去できることを見出している。この新技術と独自に開発した2段階溶融法によって作製した巨大ε-FeSiターゲットにArFエキシマパルスレーザーを照射してアブレーション種をシリコン基板と熱反応させることにより良質のβ-FeSi2エピタキシャル薄膜を作製する新技術である。さらにレーザーアニールを施してインターネット通信用発光材料に転嫁させる新技術の開発である。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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