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J-GLOBAL ID:202104013202275426  Research Project code:18067894

シリコン技術に立脚した室温動作スピン量子ビット

シリコン技術に立脚した室温動作スピン量子ビット
National award number:JPMJCR1871
Study period:2018 - 2023
Organization (1):
Principal investigator: ( , 開拓研究本部, 専任研究員 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJCR1871
Research overview:
シリコン中の”深い不純物”には室温においても強く束縛された電子があります。私たちはその電子スピンを用い、室温で動作する量子ビットを開発します。”トンネル電界効果トランジスタ”と呼ばれる構造に深い不純物を導入することで、深い不純物の電子をトランジスタ電極に取り出し、量子ビット状態をトランジスタの電気特性として読み出します。量子ビットの急峻な磁場応答を利用した高感度磁気センサーを開発します。
Terms in the title (4):
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Research program:
Parent Research Project: 量子状態の高度な制御に基づく革新的量子技術基盤の創出
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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