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J-GLOBAL ID：202104013265535347
Research Project code：08003859
強相関界面エンジニアリングによるスピントンネル機能の巨大化
強相関界面エンジニアリングによるスピントンネル機能の巨大化
National award number：JPMJCR0381
Study period：2003 - 2007
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 強相関電子技術研究センター, 副研究センター長 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0381
Research overview：
強相関電子系では、スピン-軌道-電荷が強く相互作用した量子相が形成されています。この量子相の外場制御により、劇的に応答が変化する新しいデバイス機能が期待されます。本研究では、強相関遷移金属酸化物の特異な電子物性のうちスピン完全偏極強磁性に焦点をあて、酸化物スピントロニクス素子の構築に必要不可欠な界面観察技術・制御技術(界面エンジニアリング)を確立し、スピントンネル機能の巨大化を実現するとともに、スピントンネル注入デバイスの実現に向けた機能開拓を目指します。
Terms in the title (5)：
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Research program：
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Parent Research Project：
新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
