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J-GLOBAL ID：202104013472319247
Research Project code：7700000258
酸化膜除去とプラズマによる半導体作成
酸化膜除去とプラズマによる半導体作成
National award number：JPMJPR91F4
Study period：1991 - 1994
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR91F4
Research overview：
電子ビームを用いた微細加工法及び光励起活性分子を利用した多元の原子層エピタキシー法を検討し、これらを組み合わせた化合物半導体(AlGaAs等)の3次元微細ヘテロ構造の製作方法の確立を目指します。
Terms in the title (2)：
Terms in the title
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,
Research program：
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Parent Research Project：
構造と機能物性
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
