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J-GLOBAL ID：202104013731281245
Research Project code：7700002469
高密度励起子状態を利用したダイヤモンド紫外線ナノデバイスの開発
高密度励起子状態を利用したダイヤモンド紫外線ナノデバイスの開発
National award number：JPMJCR0183
Study period：2001 - 2006
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 新炭素系材料開発研究センター, 総括研究員/ダイヤモンド半導体チーム長 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR0183
Research overview：
当グループは、シリコン半導体並みの高品質なダイヤモンド薄膜の合成に成功し、その膜で自由励起子による強い紫外線発光(235nm)の非線形光学効果を発見しました。この現象をナノスペースで発現するようにして、ダイヤモンドでの高密度励起子状態の把握と、それから導かれる新しいコンセプト(ボーズ凝縮)による紫外線発光・センサーのナノデバイスの実現を計ります。これにより、ダイヤモンドによる携帯可能な紫外線レーザや小型超高感度紫外線センサーの開発とこれを応用した新情報技術や環境疫学の発展が期待されます。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
新しい物理現象や動作原理に基づくナノデバイス・システムの創製
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
