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J-GLOBAL ID:202104013872571417
Research Project code:7700000723
欠陥エンジニアリングによる新規強誘電機能の発現
欠陥エンジニアリングによる新規強誘電機能の発現
National award number:JPMJPR02N7
Study period:2002 - 2005
Organization (1):
Principal investigator:
(
, 生産技術研究所, 助手 )
DOI:
https://doi.org/10.52926/JPMJPR02N7
Research overview:
絶縁層に挟まれた厚さ数ナノメートルの強誘電層では、欠陥が誘電性を劣化させることなく、特性向上の活性中心として働きます。この層状強誘電体に、電子・原子レベルでの秩序構造に、陽イオン空孔、酸素空孔および積層欠陥を積極的に導入して、利用する欠陥エンジニアリングによって分極特性を設計し、新規な強誘電機能の発現を目指します。
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Research program:
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Parent Research Project:
秩序と物性
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :
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