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J-GLOBAL ID:202104014074331616  Research Project code:08069378

半導体故障解析のための三次元ドーパントプロファイリング法の開発

半導体故障解析のための三次元ドーパントプロファイリング法の開発
Study period:2008 - 2008
Organization (1):
Principal investigator: ( , ナノ構造研究所, 副主任研究員 )
Research overview:
電子線ホログラフィーは位相差分布Φ(x,y)を測定し、半導体中のドーパント分布を直視観察する有効な手法の1つである。しかし従来法では厚み分布を実測できないため、数百ナノメートル以下の均一な厚さに研磨された試料の二次元的なドーパント分布解析が、一般的分析レベルの限度であった。本研究ではトモグラフィーとホログラフィーを組み合わせた画期的なアイデアに基づき、薄片化できない立体構造を有するMOSFET中のドーパントを三次元で分布解析する手法を開発する。
Terms in the title (2):
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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