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J-GLOBAL ID:202104014117360941  Research Project code:09156939

(110)面を有するIV族歪みヘテロ薄膜の素子応用

(110)面を有するIV族歪みヘテロ薄膜の素子応用
Study period:2009 - 2009
Organization (1):
Principal investigator: ( , 大学院医学工学総合研究部, 助教 )
Research overview:
シリコン中の正孔移動度の向上を目的とした、(110)面上への歪みSi薄膜形成プロセスの改善に関する提案である。Si(110)面の活用及び歪み印加の効果を更に高めることにより、高正孔移動度の達成を目指す。これまでの研究成果を基礎に、さらなる移動度向上を実現するため、表面ラフネス改善プロセスの最適化などを行う。これにより、Si-CMOSデバイスの高速化を目指す。
Terms in the title (4):
Terms in the title
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Research program:
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency

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