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J-GLOBAL ID：202104014117360941  Research Project code：09156939

(110)面を有するIV族歪みヘテロ薄膜の素子応用

(110)面を有するIV族歪みヘテロ薄膜の素子応用
Study period：2009 - 2009
Organization (1)：
山梨大学

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Principal investigator：
有元 圭介

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(
山梨大学

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, 大学院医学工学総合研究部, 助教 )
Research overview：
シリコン中の正孔移動度の向上を目的とした、(110)面上への歪みSi薄膜形成プロセスの改善に関する提案である。Si(110)面の活用及び歪み印加の効果を更に高めることにより、高正孔移動度の達成を目指す。これまでの研究成果を基礎に、さらなる移動度向上を実現するため、表面ラフネス改善プロセスの最適化などを行う。これにより、Si-CMOSデバイスの高速化を目指す。
Terms in the title (4)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
歪み

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テロ

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薄膜

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応用

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Research program：
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Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency

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