Proj
J-GLOBAL ID：202104014421599110
Research Project code：09152490
III族酸化物/窒化物半導体複合構造の界面制御とデバイス応用
III族酸化物/窒化物半導体複合構造の界面制御とデバイス応用
National award number：JPMJPR096A
Study period：2010 - 2012
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 新世代ネットワーク研究センター, 主任研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR096A
Research overview：
近い将来、窒化ガリウム(GaN)はシリコンと並び半導体電子デバイス材料の中核を担うと予想されます。今後GaNトランジスタを新たな応用分野に利用拡大していくためには、高品質な絶縁膜が必須であります。本研究ではIII族酸化物をその有力候補として着目し、超高真空中での連続製膜により外的な要因を排除した理想的な酸化物/窒化物複合構造を作製し、系統的な解析により、GaNトランジスタの性能向上ならびに新展開を目指します。
Terms in the title (6)：
Terms in the title
Keywords automatically extracted from the title.
,
,
,
,
,
Research program：
＞
＞
Parent Research Project：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
