CMOSセンサ技術とMEMS技術を融合した高精細イオンイメージセンサ開発

National award number：JPMJTS1515
Study period：2015 - 2020
Organization (2)： ,
Corporate responsibility： ( )
Research responsibility： ( , 電気・電子情報工学系, 教授 )
DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJTS1515
Research overview：

微小領域のイオンの挙動を可視化するため、CMOS技術とMEMS技術によりナノレベルの空間解像度とナノモーラレベルの検出感度を持つイオンイメージセンサ製作技術を確立します。ナノ材料や生体から放出されるイオンが、センサ表面に達するまでに横方向に拡散するのを防ぐためのインターフェースの開発を進めます。さらにイオンイメージセンサの信頼性の保証、およびそのための出荷検査の基準を検討し事業化への検討課題を明確にします。

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Research program：＞＞＞
Parent Research Project：ナノレベルの分解能と識別感度をもつイオンセンサの実現に向けた技術開発
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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