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J-GLOBAL ID：202104014784834773
Research Project code：07051376
多価イオンプロセスによるナノデバイス創製
多価イオンプロセスによるナノデバイス創製
National award number：JPMJCR02B4
Study period：2002 - 2007
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, レーザー新世代研究センター, 教授 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B4
Research overview：
低エネルギー多価イオン1個を半導体表面などに照射すると、入射点にナノメーターサイズの明瞭なドット構造が生成されます。そのサイズはイオン種により制御可能で、各イオン照射ごとに均一なサイズと量子構造を持つことが観察されました。本研究では、この多価イオンのもつ革新的なプロセス能力を活用し、単一イオン入射を制御しながら量子ドットを周期的に配列させる技術を開発し、新しい(光)機能性素子の創製を目指します。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
