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J-GLOBAL ID：202104015639895957
Research Project code：08062768
ワイドギャップ強磁性半導体デバイス
ワイドギャップ強磁性半導体デバイス
National award number：JPMJPR0869
Study period：2008 - 2010
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 金属材料研究所, 講師 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0869
Research overview：
光触媒性や透明導電性を持つ酸化物半導体である二酸化チタンに少量のコバルトをドーピングすると室温強磁性が発現します。このコバルトをドープした二酸化チタンの中にある電子の電荷とスピンを電気や光を用いて制御し、強磁性のスイッチングなどスピントロニクスのデバイス実証を試みます。さらに、将来のエレクトロニクスに役立つと期待される半導体スピントロニクスデバイスが室温で身近に使えるようになることを目指します。
Terms in the title (2)：
Terms in the title
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,
Research program：
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Parent Research Project：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
