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J-GLOBAL ID:202104015677558190  Research Project code:13417075

極薄ナノ金属酸化膜をもつ抵抗変化型メモリ

極薄ナノ金属酸化膜をもつ抵抗変化型メモリ
National award number:JPMJPR1325
Study period:2013 - 2016
Organization (1):
Principal investigator: ( , 原子分子材料科学高等研究機構 )
Research overview:
酸素中性粒子ビームを用いた極薄ナノ金属酸化膜の新規な形成手法を確立し、それを用いたイオンと原子の移動に基づく抵抗変化型メモリの試作とその動作実証を試みます。メモリ素子をナノサイズ化してスイッチング現象に寄与するイオンと原子の数を数えられる程度にまで減らすことで、0.1pJ以下の低消費電力、0.1V以下の低しきい値電圧および0.1ns以下の高速スイッチング時間を目指します。
Research program:
Parent Research Project: 素材・デバイス・システム融合による革新的ナノエレクトロニクスの創成
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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