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J-GLOBAL ID：202104015863259209
Research Project code：08062767
Si系半導体ナノ構造を基礎とした単一電子スピントランジスタの開発
Si系半導体ナノ構造を基礎とした単一電子スピントランジスタの開発
National award number：JPMJPR0868
Study period：2008 - 2011
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, 大学院システム情報科学研究院, 助教 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR0868
Research overview：
本研究では、シリコンLSI技術におけるスケーリング則の限界という課題を克服するために、電子のスピンを積極的に活用した動作原理に基づく半導体デバイスの開発を行います。実験的に考案した究極の低消費電力スピントロニクスデバイス『単一電子スピントランジスタ』を、既存のシリコンテクノロジーと整合した素子構造へと発展させ、高性能化および新機能の創出を目指します。
Terms in the title (6)：
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Research program：
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Parent Research Project：
革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
