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J-GLOBAL ID：202104015919330688  Research Project code：08150619

半導体局所プラズマ加工装置の開発

半導体局所プラズマ加工装置の開発
National award number：JPMJSN09CA
Study period：2009 - 2011
Organization (1)：
(株)三友製作所

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Corporate responsibility：
(株)三友製作所

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DOI： https://doi.org/10.52926/JPMJSN09CA
Research overview：
半導体メーカー等への需要調査に基づき、半導体不良解析のためにシリコンやその酸化膜を局所的にエッチングできる装置の開発に成功しました。その開発過程で、プラズマガスを細い管に吸い込むと局所エッチングレートの向上および残渣を低減できることを新たに見い出しました。本開発では、この新方式を採用した半導体局所プラズマ加工装置の実用化に向けた開発を行います。
Terms in the title (2)：
Terms in the title
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プラズマ加工装置

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開発

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Research program：
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Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency

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