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J-GLOBAL ID：202104016478077961
Research Project code：08062833
強磁性絶縁体超薄膜を用いた新規スピントロニクスデバイスの創製
強磁性絶縁体超薄膜を用いた新規スピントロニクスデバイスの創製
National award number：JPMJPR08N7
Study period：2008 - 2011
Organization (1)：
Principal investigator：
(
, エレクトロニクス研究部門, 研究員 )
DOI：
https://doi.org/10.52926/JPMJPR08N7
Research overview：
現在問題となっているIT機器の消費電力の問題を解決するには、不揮発性を有するスピントロニクスの活用が有望です。中でも、強磁性絶縁体超薄膜を用いたトンネル素子は、アップスピン電子とダウンスピン電子をより分ける働きを持つため、「スピンフィルター」と呼ばれます。このスピンフィルターと半導体テクノロジーを融合し、省電力性に優れた新規スピントロニクス素子の開発を目指します。
Terms in the title (4)：
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Research program：
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Parent Research Project：
ナノ製造技術の探索と展開
Organization with control over the research：
Japan Science and Technology Agency
