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J-GLOBAL ID:202104016485059480  Research Project code:08003934

共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリの創製

共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリの創製
National award number:JPMJCR02B6
Study period:2002 - 2007
Organization (1):
Principal investigator: ( , 大学院工学研究科, 教授 )
DOI: https://doi.org/10.52926/JPMJCR02B6
Research overview:
エネルギーバンドの状態、トンネル電子のスピン状態、電荷状態を考慮した非対称トンネル効果に基づく新しい「共鳴磁気トンネル・ナノドット不揮発性メモリ」を提案します。また、実際に素子を試作して基本動作の確認を行うとともに、これらのメモリを用いたメモリベースの超高速・超省電力回路とアーキテクチャの検討も行います。試作素子の動作確認に成功すれば、実現が難しいとされていた高速・低電力のテラビット・ランダムアクセスメモリ(RAM)の可能性が初めて示されることになります。
Research program:
Parent Research Project: 超高速・超省電力高性能ナノデバイス・システムの創製
Organization with control over the research:
Japan Science and Technology Agency
Reports :

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