次世代半導体単結晶と電極金属膜の界面反応制御とコンタクト形成

Study period：2009 - 2009
Organization (1)：
Principal investigator： ( , 先端科学イノベーションセンター, 助教 )
Research overview：

素子のエネルギー効率はSiからSiCへの置換により格段に向上できるが、SiCへのオーミックコンタクト形成が困難であることがこの置換推進を妨げている。特に、高出力用バイポーラ型トランジスタでは単結晶SiCウェハの両面にコンタクトを形成せねばならない。本研究では、種々のSiC結晶面と金属蒸着膜との適切な界面組織を形成するための界面反応制御法確立を目指す。

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Research program：＞＞＞＞
Organization with control over the research：

Japan Science and Technology Agency

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